بررای کراربرد در سرردکننده هرای ترمروالکتریکی p بلوری نیمرسانا با خاصیت ترموالکتریک نوع (Bi0.25 Sb0.75)2 Te ترکیب 3
11-6 ذوب و torr 99 در کپسول کواتز در خرء / با درجه خلوص 999 Te و ،Sb و ،Bi است. برای ساخت این تک بلور عناصر مورد نیاز
به سرعت تا دمای اتاق سرد میکنیم. بدین ترتیب محلول جامدی از این عناصر تهیه میشود. به منظور بلوری کردن، محلول جامرد بره
411 رشرد داده مر یشرود و بررای oC 8 )سررعت حرکرت کرورهر در دمرای mm/h دست آمده، به روش رشد ناحیه ای با آهنگ رشرد
041 به مدت 47 ساعت تحت عملیات گرمایی قرار میدهیم. در این مقاله، فرایند رشد بلور و نقش مواد oC تنش زدایی نمونه ها در دمای
تشکیل فازهای مرورد انتظرار را نشران ،X آلاینده در بهبود خواص ترموالکتریکی بررسی میشود. مطالعات ساختاری انجام شده با پرتو
اسرت اده مر یشرود . بیشرتر ین ضرریب بهرره در حالرت بهینره SEM می دهد. بررای مشرخک کرردن کی یرت رشرد بلورهرا از ت راویر
Z = 3.1510-3K-1 به دست میآید.