دوره 28، شماره 1 - ( 1-1399 )                   جلد 28 شماره 1 صفحات 259-266 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Pilevar Shahri R, Shafei S, Tabatabai Yazdi S. Structural and electrical properties of In-doped vanadium oxide thin films prepared by spray pyrolysis. www.ijcm.ir. 2020; 28 (1) :259-266
URL: http://ijcm.ir/article-1-1432-fa.html
پیله‌ور شهری راحله، شافعی سونیا، طباطبائی یزدی شکوفه. بررسی ویژگی‌های ساختاری و الکتریکی لایه‌های نازک پنتااکسید وانادیوم آلاییده با ایندیوم تهیه‌شده به روش گرما کافت افشانه‌ای. مجله بلورشناسی و کانی شناسی ایران. 1399; 28 (1) :259-266

URL: http://ijcm.ir/article-1-1432-fa.html


دانشگاه پیام نور
چکیده:   (292 مشاهده)
نانوساختارهای پنتااکسید وانادیوم آلاییده با درصدهای وزنی مختلف ایندیوم (0، 10، 20 و at.%30 در محلول) به روش گرما کافت افشانه­ای (اسپری پایرولیزیز) تهیه شدند. لایه­های نازک تهیه شده به کمک پراش پرتو ایکس(XRD)، تصویربرداری با میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و آزمایش اثر هال مشخصه­یابی شدند. نتایج XRD نشان داد که لایه های نازک در فاز چارگوشی بلوری می­شوند. افزایش مقدار ایندیوم به­شدت منجر به افزایش بی­نظمی نانوساختارها و کاهش اندازه بلورک­ها شده به طوری که اندازه بلورک­ها با افزودن 30% وزنی ایندیوم به پنتااکسید وانادیوم تا بیش از 50% نسبت به نمونه خالص کاهش یافته است. تصاویر SEM لایه‌ها را نانوساختارهای تک­فاز تشکیل شده از نانومیله و نانوتسمه­هایی با پهنای متوسط nm 100-50 نشان داد. اندازه‌گیری‌های اثر هال نشان داد که نمونه‌های مورد بررسی همه نیمرسانای نوع n هستند و مقاومت آنها با افزایش ایندیوم افزایش یافته است که این را نیز می‌توان به افزایش بی‌نظمی ساختاری نمونه­ها نسبت داد.     
متن کامل [PDF 839 kb]   (83 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي
دریافت: 1399/2/26 | پذیرش: 1399/2/26 | انتشار: 1399/2/26

فهرست منابع
1. [1] Xu Y., Schoonen M.A., "The absolute energy positions of conduction and valence bands of selected semiconducting minerals", Am. Mineral. 85 (2000) 543-556. [DOI:10.2138/am-2000-0416]
2. [2] Luo Z., Wu Z., Xu X., Du M., Wang T., Jiang Y., "Impact of substrate temperature on the microstructure, electrical and optical properties of sputtered nanoparticle V2O5 thin films", Vacuum85 (2010) 145-150. [DOI:10.1016/j.vacuum.2010.05.001]
3. [3] Ramana C.V., Hussain O.M., Srinvasalu Naidu B., Julien C., Balkanski M., "Physical investigations on electron-beam evaporated vanadium pentoxide films" Mater. Sci. Eng. B. 52 (1998) 32-40. [DOI:10.1016/S0921-5107(97)00273-0]
4. [4] Bouzidi A., Benramdane N., Nakrela A., Mathieu C., Khelifa B., Desfeux R., and Da Costa A., "First synthesis of vanadium oxide thin films by spray pyrolysis technique", Mater. Sci. Eng. B 95 (2002) 141-147. [DOI:10.1016/S0921-5107(02)00224-6]
5. [5] Fujita Y., Miyazaki K., Tatsuyama C., Jpn., "On the electrochromism of evaporated V2O5 films", J. Appl. Phys 24 (1985) 1082-1086. [DOI:10.1143/JJAP.24.1082]
6. [6] Adarsh Rag S., Shivaram Sh., Deena S., Richards E.J., Dhayal Raj A., Kumar S.V., Thiyagarajan K, "Optical and structural properties of V2O5 thin films Prepared by sol-gel dipping process", J. NanoSci. Nanotechnol 1(2012) 3-6.
7. [7] Tamang R., Varghese B., Tok E.S., Mhaisalkar S., Sow C.H.," Sub-band gap energy photoresponse of individual V2O5 nanowires", Nanosci. Nanotechnol. Lett4 (2012) 716-719. [DOI:10.1166/nnl.2012.1381]
8. [8] Lu J., Hu M., Tian Y., Guo C., Wang C., Guo S., Liu Q, "Fast visible light photoelectric switch based on ultralong single crystalline V2O5 nanobelt", Opt. Exp 20 (2012) 6974-6979. [DOI:10.1364/OE.20.006974]
9. [9] Zhan S., Wei Y., Bie X., Wang C., Du F., Chen G., Hu F., "Structural and electrochemical properties of Al3+ doped V2O5 nanoparticles prepared by an oxalic acid assisted soft chemicalmethod", J. Alloys Compd 502 (2010) 92-96. [DOI:10.1016/j.jallcom.2010.03.133]
10. [10] Coustier F., Passerini S., Smyrl W. H., "Dip-coated silver-doped V2O5 xerogel hosts as cathode materials for lithium intercalation", J.Solid State Ionics 100 (1997) 247-258. [DOI:10.1016/S0167-2738(97)00354-8]
11. [11] Giorgetti M., Berrettoni M., Smyrl W.H., "Doped V2O5-based cathode materials: where does the doping metal go? An X-ray absorption spectroscopy study.", Chem. Mater 19 (2007) 5991-6000. [DOI:10.1021/cm701910c]
12. [12] Farcy J., Maingot S., Soudan P., Pereira-Ramos J.P., Baffier N., "Electrochemical properties of the mixed oxide Fe0.11V2O5.16 as a Li intercalation compound", Solid State Ionic 99 (1997) 61-69. [DOI:10.1016/S0167-2738(97)00196-3]
13. [13] Iida Y., Kanno Y., "Doping effect of M (M = Nb, Ce, Nd, Dy, Sm, Ag, and/or Na) on the growth of pulsed-laser deposited V2O5 Thin films", J. Mater. Process.Technol 209 (2009) 2421-2427. [DOI:10.1016/j.jmatprotec.2008.05.033]
14. [14] Yu D.M., Zhang S.T., Liu D.W., Zhou X.Y., Xie S.H., Zhang Q.F., Liu Y.Y., Cao G.Z., "Effect of manganese doping on Li-ion intercalation properties of V2O5 films", J. Mater. Chemi. 20 (2010) 10841-10846. [DOI:10.1039/c0jm01252a]
15. [15] Jeyalakshmi K., Vijayakumar S., Purushothaman K.K., Muralidharan G., "Nanostructured nickel doped β-V2O5 thin films for supercapacitor applications", Mater. Res. Bull. 48 (2013) 2578-2582. [DOI:10.1016/j.materresbull.2013.03.007]
16. [16] Jassim I. K., Rzaij J.M., Ali I. M., Ibrahim I. M., "Influence of Nd and Ce doping on the structural, optical and electrical properties of V2O5 thin films", Iraqi J. Phys. 14 (2016) 73-82.
17. [17] Etemadi B., Mazloom J., Ghodsi F.E., "Phase transition and surface morphology effects on optical, electrical and lithiation/delithiation behavior of nanostructured Ce-doped V2O5 thin films", Mater. Sci. Semicond. Process. 61 (2017) 99-106. [DOI:10.1016/j.mssp.2016.12.035]
18. [18] Mousavi M., Khorrami Gh. H., Kompany A., Tabatabai Yazdi Sh., "Structural, optical and electrochemical properties of F-doped vanadium oxide transparent semiconducting thin films", Appl. Phys. A.123 (2017) 755(6). [DOI:10.1007/s00339-017-1366-7]
19. [19] Mousavi M., Kompany A., Shahtahmasebi N. and Bagheri Mohagheghi M. M., "Effect of S-doping on structural, optical and electrochemical properties of vanadium oxide thin films prepared by spray pyrolysis", Phys. Scripta 88 (2013) 065701-065706. [DOI:10.1088/0031-8949/88/06/065701]
20. [20] Acosta D., Pérez A., Magaña C. and Hernández F., "V2O5 thin films deposited by RF magnetron sputtering: the influence of oxygen content in physical properties", J. Mater. Sci. Eng. A 6 (2016) 81-87. [DOI:10.17265/2161-6213/2016.3-4.007]
21. [21] Cullity B.D., "Elements of X-ray Diffraction", Addison-Wesley Publishing Company Inc., California, 1956.
22. [22] Iranmanesh P., Tabatabai Yazdi Sh., Mehran M., Saeednia S., "Superior magnetic properties of Ni ferrite nanoparticles synthesized by capping agent-free one-step coprecipitation route at different pH values", Journal of Magnetism and Magnetic Materials 449 (2018) 172-179. [DOI:10.1016/j.jmmm.2017.10.040]
23. [23] Bagheri Mohagheghi M.M., Tabatabai Yazdi Sh., Mousavi M., "Transport, structural and optical properties of SnO2 transparent semiconductor thin films alloyed with chromium: Carrier type conversion", J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 28 (2017) 13328-13335. [DOI:10.1007/s10854-017-7169-y]
24. [24] R.D. Shannon, "Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides", Acta Crystallographica A32 (1976) 751-767. [DOI:10.1107/S0567739476001551]
25. [25] Sze S.M., "Physics of Semiconductor Devices", John Wiley and Sons New York (1981).

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله بلورشناسی و کانی شناسی ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2020 All Rights Reserved | Iranian Journal of Crystallography and Mineralogy

Designed & Developed by : Yektaweb