دوره 3، شماره 1 - ( 1-1374 )                   جلد 3 شماره 1 صفحات 14-3 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Characterization and Fabrication of Multilayers of A1xGal_xAs/GaAs by Epitaxy. www.ijcm.ir. 1995; 3 (1) :3-14
URL: http://ijcm.ir/article-1-917-fa.html
اسکوئی مهدی، امینی علیرضا، ترکاشوند مصطفی، انواری سید فیض الله. رشد براراستی لایه های GaAs/AlxGa1-xAs و بررسی مشخصات آنها. مجله بلورشناسی و کانی شناسی ایران. 1374; 3 (1) :14-3

URL: http://ijcm.ir/article-1-917-fa.html


1- دانشگاه صنعتی شریف تهران
2- سازمان انرژی اتمی مرکز تحقیقات لیزر
3- مرکز پژوهشگاه صنعت نفت
چکیده:   (1960 مشاهده)

Five layers of GaAs:Te(n=2x 1018 cm' Alo.4GaQ.6As:
Sn(n=5xWI6 em,3}. GaAs, Alo .• GaQ.6As: Ge(p=3xW17 em-3),
GaM: GC(p= IXlO18cm 3) were grown by supercooled Liquid
Phase Epilaxy on n-GaAs(IOO) substrate. The cooling rate of the
furnace was SCI up With U. I"C/min al T=860°C. The firSI layer
was grown at T=840°C and Ihe la sl one at T=827°C. The
thi ckness were varied between 0.1 10 8,um by controlling the
supercooling IcmperalUre and growth time. Quality and quantilY
of epitaxial layers were examined by TEM, SEM, PIXE and x-ray,

متن کامل [PDF 1698 kb]   (576 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله بلورشناسی و کانی شناسی ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 CC BY-NC 4.0 | Iranian Journal of Crystallography and Mineralogy

Designed & Developed by : Yektaweb