در این کار، ساختارهای رونشانده تکریخت دور آلائیده وارون p-Si/Si_1-xGe_x/Si  با پراش پرتو X و روش الکتریکی مشخصه‌یابی شده­اند. در نتیجه سمتگیری متفاوت صفحات براگ همخوان با لایه کرنش یافته تراکمی  SiGeنسبت به لایهSi ، می­توان نسبت Ge ()، و ضخامت لایه پوششی () را با شبیه­سازی کامپیوتری شدت و جدائی زاویه­ای قله­های (004) مشاهده شده در طرح پراش این ساختارها تعیین کرد. از طرفی در لایه SiGe، یک گاز حفره‌ای دو بعدی با چگالی سطحی تشکیل و به روش هال اندازه­گیری شد و با اعمال ولتاژ متناسب به دریچه مصنوعی () قابل کنترل است. در مشخصه‌یابی به روش الکتریکی، دو مشخصه و با برازش نظری تغییرات خطی بر حسب به دست آمده­اند. در خاتمه عوامل مؤثری که موجب عدم قطعیت نتایج هر روش و اختلاف جزئی آنها می­شود نیز توضیح داده شده­اند.