AU - Alidaei, Maryam AU - Izadifard, morteza AU - Ghazi, mohammad Ebrahim TI - Increasing of solar cell stability using Br-doped CH3NH3PbI3 perovskite absorber layers PT - JOURNAL ARTICLE TA - ijcmir JN - ijcmir VO - 27 VI - 1 IP - 1 4099 - http://ijcm.ir/article-1-1238-fa.html 4100 - http://ijcm.ir/article-1-1238-fa.pdf SO - ijcmir 1 AB  - ترکیب CH3NH3PbI3 یکی از معروف­ترین و پرکاربردترین ترکیبات پروسکایتی هالیدی بر پایه سرب است که در سلول­های خورشیدی پرووسکایتی استفاده می­شود. یکی از راه­های مقابله با مسأله ناپایداری این ساختار پروسکایتی در شرایط معمولی، آلایش برم در این ترکیب است. در این کار، ضمن بررسی ویژگی­های ساختاری و نوری لایه­های جاذب CH3NH3PbI3 آلاییده با برم (با نسبت­های مولی برم به ید 1:0، 3:1، 2:1، 1:1، 1:2، 0:1) که به روش دومرحله ای چرخشی- چرخشی تهیه شدند، پارامترهای فوتوولتایی سلول­های ساخته ­شده برپایه این لایه­های جاذب نیز اندازه­گیری و تحلیل شدند. تغییرات مقادیر پارامترهای فوتوولتایی در مدت 162 روز از ساخت سلول­ها به­ طور مرتب اندازه­گیری شدند. نتایج بررسی­ها نشان داد که با وجود اینکه سلول شامل ترکیب پروسکایتی بدون آلایش برم دارای بیشترین بازده اندازه­گیری شده در روز ساخت (65/11%) است، ولی به ­مرور ­زمان دچار افت شدید بازده (86%) می­گردد. مقایسه نتایج به­دست­آمده نشان داد که کمترین میزان افت بازده (1%) مربوط به سلول دارای لایه جاذب آلاییده با نسبت مولی برم به ید 1:1 با بازده تبدیل انرژی 9% است. CP - IRAN IN - Faculty of Physics, Shahrood University of Technology, Shahrood, Iran LG - eng PB - ijcmir PG - 231 PT - Research YR - 2019