در این مقاله، تک­بلور پیزوالکتریک PIN-PMN-PT با فرمول شیمیایی ۲۴[Pb(Nb_۱/۲In_۱/۲)O_۳]-۴۲[Pb(Mg_۱/۳Nb_۲/۳)O_۳-۳۴PbTiO_۳، با قطر ۲ و طول ۸ سانتی­متر با استفاده از روش رشد از مذاب بریجمن با موفقیت رشد داده شد. از آنجایی که پاسخ پیزوالکتریکی قطعات تک­بلور به جهت بلورین آنها وابسته است جهت­یابی بلوری شمش تک­بلور از اهمیت زیادی برخوردار است. شمش تک­بلور رشد داده شده با استفاده از پراش اشعه ایکس به روش‌های لاوه و XRD به طور کامل بلورنگاری شد. نتایج نشان داد که بلور به دست آمده به صورت تک­بلور یکدست در راستای بلوری ]۲۰۱[ رشد کرده است. زوایای دوران مناسب برای ساخت قطعات در راستای بلوری مرجح ]۰۰۱[  با استفاده از تحلیل نتایج لاوه استخراج گردید و قطعات تک­بلور از شمش جدا شد. دمای کوری نمونه­ی تک بلور برابر با ۱۵۵ درجه سانتی­گراد بود که با استفاده از اندازه­گیری منحنی ثابت دی­الکتریک بر حسب دما استخراج گردید. تک­بلور رشد داده شده دارای ضریب بار پیزواکتریک pC/N ۱۰۹۰، ضریب جفت­شدگی الکترومکانیکی ۴۹/۰ و فاکتور کیفیت مکانیکی ۱۳۵ بود. پارامترهای پیزوالکتریکی تک بلور رشد داده شده در مقایسه با سرامیک­های مرسوم مورد استفاده در کاربردهای پیزوالکتریکی دارای مقادیر بسیار بزرگی می­باشند.