ترکیب (Bi₂Te₃)_0.96(Bi₂Se₃)_0.04 نیمرسانای نوعn- برای استفاده در سیستم­های سرد کننده­ی ترموالکتریکی است. تک بلور این ترکیب به روش رشد ناحیه­ای رشد داده شد و توان ترموالکتریکی (σ α ²) در امتداد رشد نمونه­ی بلورین که در آن σ رسانایی الکتریکی، α ضریب سیبک است اندازه­گیری شد. در این اندازه­گیری شیب چشم­گیری در توان ترموالکتریکی در امتداد نمونه مشاهده شد. ساختارهای ترکیب در بخش­هایی از بلور رشد داده شده به روش آنالیزXRD مورد بررسی قرار گرفت. تغییرات ترکیب شیمیایی (تابع توزیع Bi₂Se₃) برازش هم ارزی با تغییرات توان ترموالکتریکی در امتداد میله­ی رشد داده شده دارد. فرایند تجربی رشد بلور با تحلیل ریاضی شبیه­سازی شد. با تحلیل ریاضی شیب تراکم Bi₂Se₃ در امتداد نمونه­ی رشد داده شده بررسی و معلوم شد که در فرایند رشد  تغییرات مقدار Bi₂Se₃ در راستای رشد بلور Bi₂Se₃-Bi₂Te₃ چشم­گیر است.