در این مقاله، تک­بلور پیزوالکتریک PIN-PMN-PT با فرمول شیمیایی 24[Pb(Nb_1/2In_1/2)O₃]-42[Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-34PbTiO₃، با قطر 2 و طول 8 سانتی­متر با استفاده از روش رشد از مذاب بریجمن با موفقیت رشد داده شد. از آنجایی که پاسخ پیزوالکتریکی قطعات تک­بلور به جهت بلورین آنها وابسته است جهت­یابی بلوری شمش تک­بلور از اهمیت زیادی برخوردار است. شمش تک­بلور رشد داده شده با استفاده از پراش اشعه ایکس به روش‌های لاوه و XRD به طور کامل بلورنگاری شد. نتایج نشان داد که بلور به دست آمده به صورت تک­بلور یکدست در راستای بلوری ]201[ رشد کرده است. زوایای دوران مناسب برای ساخت قطعات در راستای بلوری مرجح ]001[  با استفاده از تحلیل نتایج لاوه استخراج گردید و قطعات تک­بلور از شمش جدا شد. دمای کوری نمونه­ی تک بلور برابر با 155 درجه سانتی­گراد بود که با استفاده از اندازه­گیری منحنی ثابت دی­الکتریک بر حسب دما استخراج گردید. تک­بلور رشد داده شده دارای ضریب بار پیزواکتریک pC/N 1090، ضریب جفت­شدگی الکترومکانیکی 49/0 و فاکتور کیفیت مکانیکی 135 بود. پارامترهای پیزوالکتریکی تک بلور رشد داده شده در مقایسه با سرامیک­های مرسوم مورد استفاده در کاربردهای پیزوالکتریکی دارای مقادیر بسیار بزرگی می­باشند.