Iranian Journal of Crystallography and Mineralogy
مجله بلورشناسی و کانی شناسی ایران
www.ijcm.ir
Basic Sciences
http://ijcm.ir
1
admin
1726-3689
2588-4719
10.61186/ijcm
fa
jalali
1386
1
1
gregorian
2007
4
1
15
1
online
1
fulltext
fa
مشخصهیابی ساختارهای دورآلائیده وارون p-Si/SiGe/Si با روشهای پرتو X و الکتریکی
Characterisation of p-Si/SiGe/Si inverted remote doped structures using X-ray and electrical techniques
تخصصي
Special
پژوهشي
Research
<p><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">در این کار، ساختارهای رونشانده تکریخت دور آلائیده وارون </span></span></span><span style="font-family:times new roman;"><span style="font-size:11.0pt;">p-</span></span><span style="font-family:times new roman;"><span style="font-size:11.0pt;">Si/Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> با پراش پرتو</span></span></span> <span style="font-family:times new roman;"><span style="font-size:11.0pt;">X</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> و روش الکتریکی</span></span></span> <span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">مشخصهیابی شده­اند. در نتیجه سمتگیری متفاوت صفحات براگ همخوان با لایه کرنش یافته تراکمی </span></span></span><span style="font-family:times new roman;"><span style="font-size:11.0pt;"> SiGe</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">نسبت به</span></span></span> <span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">لایه</span></span></span><span style="font-family:times new roman;"><span style="font-size:11.0pt;">Si </span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">، می­توان نسبت </span></span></span><span style="font-family:times new roman;"><span style="font-size:11.0pt;">Ge</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> (<span style="position:relative;top:2.0pt;"><img alt="AWT IMAGE" height="12" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image002.gif" width="12" ></span>)، و ضخامت لایه پوششی (<span style="position:relative;top:5.0pt;"><img alt="AWT IMAGE" height="20" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image004.gif" width="13" ></span>) را با شبیه­سازی کامپیوتری شدت و جدائی زاویه­ای قله­های </span></span></span><span style="font-family:times new roman;"><span style="font-size:11.0pt;">(004)</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> مشاهده شده در طرح پراش این ساختارها تعیین کرد. از طرفی در لایه </span></span></span><span style="font-family:times new roman;"><span style="font-size:11.0pt;">SiGe</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">، یک گاز حفرهای دو بعدی با چگالی سطحی<span style="position:relative;top:5.0pt;"><img alt="AWT IMAGE" height="20" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image006.gif" width="17" ></span> تشکیل </span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">و به روش هال اندازه­گ</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">ی</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">ری شد و با </span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">اعمال</span></span></span> <span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">ولتاژ</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> متناسب</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> به دریچه مصنوعی (<span style="position:relative;top:7.0pt;"><img alt="AWT IMAGE" height="23" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image008.gif" width="19" ></span>) قابل کنترل است. در مشخصهیابی </span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">به روش الکتریکی</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">، دو مشخصه<span style="position:relative;top:2.0pt;"><img alt="AWT IMAGE" height="12" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image002.gif" width="12" ></span> و<span style="position:relative;top:5.0pt;"><img alt="AWT IMAGE" height="20" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image004.gif" width="13" ></span> با</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> برازش</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> نظری تغییرات</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> خطی</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"><span style="position:relative;top:5.0pt;"><img alt="AWT IMAGE" height="20" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image006.gif" width="17" ></span> بر حسب<span style="position:relative;top:7.0pt;"><img alt="AWT IMAGE" height="23" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image008.gif" width="19" ></span> به دست آ</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">مده­اند</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">.</span></span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> در خاتمه عوامل مؤثری که موجب عدم قطعیت نتایج هر روش و اختلاف جزئی آنها می­شود نیز توضیح داده شده­اند.</span></span></span></p>
<p>In this work, the epitaxially grown, lattice–matched p-Si/Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si inverted remote doped structures have been characterized using X-ray and electrical techniques. The Si cup layer thickness (<img alt="AWT IMAGE" height="20" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image002.gif" width="13" >) and Ge content (x) have been determined from computer simulation of intensity and angular sepration of (004) peaks observed in the X-ray diffraction pattern due to misorientaion of corresponding Bragg planes of Si and SiGe layers. On the other hand, a quasi two dimensional hole gas (2DHG) is formed in the compressively strained alloy of these structures and its areal density (n<sub>s</sub>) has been measured by Hall expriment and can be controlled by applying a voltage (<span dir="RTL"><img alt="AWT IMAGE" height="23" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image004.gif" width="19" ></span>) to the artificial gate. In the electrical technique, x and l<sub>c</sub> chractristics have been obtained using theoretical calculations of the linear dependence of n<sub>s</sub> versus <span dir="RTL"><img alt="AWT IMAGE" height="23" src="file:///C:DOCUME~1DR16D7~1.TAJLOCALS~1Tempmsohtml1 1clip_image004.gif" width="19" ></span>. Finally, the uncertainity and partial inconsistent of the results have been explained in terms of the affecting effects. </p>
ساختار Si/SiGe , مشخصهیابی Si/SiGe , پرتوX و روش هال.
Si/SiGe structure, Si/SiGe characterisation, X-ray and Hall technique.
135
146
http://ijcm.ir/browse.php?a_code=A-10-134-335&slc_lang=fa&sid=1
محمد علی
صادق زاده
10031947532846002270
10031947532846002270
Yes
دانشگاهیزد