TY - JOUR T1 - The effect of Ga-doping on the structural and optical properties of ZnO thin films prepared by spray pyrolysis TT - بررسی اثر ناخالصی گالیم بر ویژگی‌های ساختاری، ریزساختاری و نوری لایه‌های نازک اکسید روی تهیه شده به روش افشانه گرمایی JF - ijcmir JO - ijcmir VL - 27 IS - 3 UR - http://ijcm.ir/article-1-1340-fa.html Y1 - 2019 SP - 747 EP - 752 KW - Zinc Oxide KW - spray pyrolysis KW - Gallium doping KW - thin films KW - band gap energy. N2 - در این پژوهش لایه­های نازک اکسید روی با ناخالصی گالیم به روش اسپری پایرولیزیز تهیه و اثر ناخالصی گالیم بر ویژگی­های ساختاری و اپتیکی آنها بررسی شد. لایه­های ZnO خالص و ZnO:Ga با ناخالصی گالیم از 1 تا 5 درصد در دمای بستر 350 درجه سانتی­گراد تهیه شدند. نتایج پراش پرتوی X نشان می­دهد که لایه­های ZnO دارای ساختار بلوری ورتسایت با راستای ارجح (002) هستند و با افزایش مقدار ناخالصی، متوسط اندازه­ی بلورک­ها از 1/39 تا 1/16 نانومتر تغییر می­کند. ویژگی­های نوری همه نمونه­ها از جمله طیف­های عبوری و جذبی با استفاده از طیف­سنج مرئی-فرابنفش (UV-Vis) بررسی شد که برپایه این داده­ها، مقادیر گاف انرژی تعیین شد. نتایج نشان می­دهد که عبور لایه­ها در ناحیه مرئی بیش از 90% است. و گاف انرژی از eV 29/3 در نمونه خالص، با افزایش ناخالصی گالیم تا 5 درصد، به eV 38/3 افزایش می­یابد. M3 10.29252/ijcm.27.3.747 ER -