Characterisation of p-Si/SiGe/Si inverted remote doped structures using X-ray and electrical techniques. www.ijcm.ir 2007; 15 (1) :135-146 URL: http://ijcm.ir/article-1-665-fa.html
صادق زاده محمد علی. مشخصهیابی ساختارهای دورآلائیده وارون p-Si/SiGe/Si با روشهای پرتو X و الکتریکی. مجله بلورشناسی و کانی شناسی ایران. 1386; 15 (1) :135-146
در این کار، ساختارهای رونشانده تکریخت دور آلائیده وارون p-Si/Si1-xGex/Si با پراش پرتوX و روش الکتریکیمشخصهیابی شدهاند. در نتیجه سمتگیری متفاوت صفحات براگ همخوان با لایه کرنش یافته تراکمی SiGeنسبت بهلایهSi ، میتوان نسبت Ge (