لایه­های نازک اکسید ایندیم آلاییده به قلع ITO) ( با ضخامتهای مختلف nm620-130 بر زیرلایه­های شیشه نازک به شیوه کندوپاش RF و با استفاده از هدف سرامیکی ITO ( wt. In₂O₃90% و  wt. SnO₂10%) لایه نشانی و سپس در محیط خلأ گرمادهی شد­ند. سرشتیهای الکتریکی و اپتیکی نمونه­های ITO، پیش و پس از گرمادهی در دماهای مختلف به وسیله یک سیستم اندازه­گیری مقاومت چارسوزنی و طیف سنج UV/VIS/IR بررسی و مقایسه شدند. ساختار بلوری لایه­های گرمادهی شده در دمای بهینه C˚400 با آنالیز پراش پرتو ایکس XRD  مورد مطالعه قرار گرفت. از آنالیز SEM نیز برای بررسی ساختار سطحی لایه بهینه بهره گرفته شد. بررسی نتایج حاصل از آنالیزها نشان می­دهد که با افزایش ضخامت لایه­ها و تغییر ساختار بلوری، سرشتیهای الکتریکی و اپتیکی ماده، نظیر مقاومت سطحی، مقاومت ویژه، و شفافیت لایه­ها تغییر می­کند، به طوریکه لایه nm 130 با ضخامت کمتر در دمای C˚400، دارای شفافیت 71_/83%، و مقاومت ویژه mcΩ ^4- 10 × 34_/2 است. لایه nm620 با شفافیت 07_/79%، در C˚400 کمترین مقاومت ویژه mcΩ ^4-10 × 1 ≈  را نشان می­دهد که می­توان آن را به عنوان لایه بهینه ضخیم با مقاومت سطحی □/Ω 6_/1 برای کاربردهای مختلف معرفی کرد.