دوره 12، شماره 2 - ( 7-1383 )                   جلد 12 شماره 2 صفحات 239-252 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Growth of semiconducting Cd0.96Zn0.04Te single crystal by modified Bridgman and vapor phase transport methods. www.ijcm.ir. 2004; 12 (2) :239-252
URL: http://ijcm.ir/article-1-745-fa.html
طباطبائی یزدی شکوفه، علی‌نژاد محمدرضا، تجبر ناصر. رشد تک‌بلور نیمرسانای Te04/0Zn96/0Cd به دو روش بریجمن تغییریافته و ترابری فاز بخار . مجله بلورشناسی و کانی شناسی ایران. 1383; 12 (2) :239-252

URL: http://ijcm.ir/article-1-745-fa.html


پردیس دانشگاه فردوسی
چکیده:   (1423 مشاهده)

تک­بلورهای Te04/0Zn96/0Cd (CZT) با قطر تا mm 14 به روش بریجمن تغییریافته و بدون استفاده از هسته اولیه، رشد داده ­شدند. بلورهایی با همان ترکیب شیمیایی به روش انتقال فاز بخار به­وسیله گاز بی­اثر (VPGT) نیز رشد داده شد که تک­بلورهایی به بزرگی تا mm 5/3 به دست آمد. مطالعات ساختاری انجام شده با پراش پرتو X و تصاویر پس­بازتاب لاوه نشان می­دهند که بلورهای رشد یافته تک­فازند و ترجیحاً به موازات محور بلور ]111[ رشد می­کنند. گاف انرژی بلورهای رشد داده شده در حدود eV 2/1 است. خواص الکتریکی اندازه گیری شده به روش وندرپو نشان می­دهند که مرتبه بزرگی مقاومت ویژه تک­بلورهای حاصل W.cm104 است. رسانندگی الکتریکی بلورهای رشد داده شده به روش بریجمن نوع p، و بلورهای رشد داده شده به روش VPGT نوع n است.

متن کامل [PDF 935 kb]   (878 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي
دریافت: ۱۳۹۶/۳/۱۷ | پذیرش: ۱۳۹۶/۳/۱۷ | انتشار: ۱۳۹۶/۳/۱۷

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله بلورشناسی و کانی شناسی ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2020 All Rights Reserved | Iranian Journal of Crystallography and Mineralogy

Designed & Developed by : Yektaweb