در InxGa1-xN و آلیاژ In0.5Ga0.5N/GaN خواص اپتیکی چاه های کوانتومی چندتائی
مورد بررسی قرار گرفتهاند. طیف بازتابی چاه کوانتومی چندتائی )Far-IR( ناحیه فرو سرخ دور
در ناحیه فروسرخ دور، با استفاده از تقریب محیط مؤثر، GaAs با زیر لایه In0.5Ga0.5N/GaN
بررسی شده است. طیف حاصله و پاسخ تابع دی الکتریک p و s و پاسخ آن به نور قطبیده مایل
اطلاعات مفیدی از سهم فونونی و پلاسمونی در چاه کوانتومی را ارائه می نماید. همچنین کسر
مولی ترکیبات در آلیاژ و تغییرات محل مدهای اپتیکی وسیله مناسبی جهت اندازه گیری میزان
دو ناحیه ،InxGa1-xN حاملهای آزاد و میزان کسر مولی در نمونه هاست. در بررسی طیف بازتابی
خالص به ازاء مقادیر InN خالص و GaN جدا از هم با بسامدهایی نزدیک Reststrahlen
مختلف ترکیب مشاهده شده اند. با کاهش غلظت هر ترکیب در آلیاژ، هر ناحیه به سمت
بسامدهای پائین تر با دامنه کمتر جابهجا می شوند. آنالیز تابع دی الکتریک، تغییرات بسامد
نشان می هد. در حالت آلائیده تغییر x آلیاژ را با تغییر TO و عرضی LO مدهای اپتیکی طولی
به علت جفتیدگی مد فونون و پلاسمون مشاهده می شود.